Исследование эпитаксиальных слоёв и монокристаллов β-Ga2O3 методом наноиндентирования

Авторы:
Л.И. Гузилова А.С. Гращенко А.И. Печников В.Н. Маслов Д.В. Завьялов В.Л. Абдрахманов А. Е. Романов В.И Николаев
Аннотация:

В работе исследованы модуль Юнга и твёрдость монокристаллов и эпитаксиальных слоёв β-Ga2O3 методом наноиндентирования. Изучались поверхности (100) монокристаллов β-Ga2O3, полученных методом свободной кристаллизации, и поверхности (-311) и (-201) эпитаксиальных слоёв β-Ga2O3, выращенных на подложках m- и c-Al2O3 при помощи хлоридной эпитаксии. Обработка экспериментальных результатов была выполнена методом Оливера-Фарра. Произведён теоретический расчет модуля Юнга данного материала при помощи теории функционала плотности. Наноиндентированием было получено значение модуля Юнга для поверхности (100) монокристалла β-Ga2O3 : 234 GPa. Для эпитаксиальных слоёв β-Ga2O3 значения твёрдости и модуля Юнга составили для плоскости (-201) 12.5 GPa и 225 GPa соответственно, для плоскости (-311) 17 GPa и 300 GPa.