Теория плоского напряженного состояния в тонком слое образца с учётом аустенитно-мартенситных переходов

Развита аналитическая теория плоского напряженного состояния, возникающего в бесконечно тонком слое. Учитываются не только большие упругие деформации, но и аустенитно-мартенситные превращения, порождающие специфические микродеформации, нарушающие сплошность и бездефектность кристалла. Используется разработанная ранее модель сложной кристаллической решетки, состоящей из двух взаимно проникающих подрешеток, так что двойной континуум позволяет описать возможность нарушения не только дальнего, но и ближнего порядка. Для этого рассматривается закон баланса полярного (не аксиального) момента количества движения, учитывающего микросмещения между соседними атомами. При этом возможна кардинальная перестройка решётки, в частности, изменение числа ближайших соседей, что не рассматривается в классической теории фазовых переходов Ландау. Аналитическая форма теории впервые открывает возможности для дальнейшего развития и инженерных методов изучения материалов.