МФМ
Механика и физика материалов
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Русский
Английский
Версия для слабовидящих
Издается с 2000
ISSN 1605-8119
Найти
О журнале
Меню
О журнале
Редакционная коллегия
Показатели
Авторам
Меню
Название статьи
Аннотация к статье
Ключевые слова
Содержание и структура статьи
Технические требования
Список литературы
Подача и рассмотрение статьи
Рецензирование
Работа с электронной редакцией
Рецензентам
Меню
Порядок рецензирования
Работа с электронной редакцией
Этика научных публикаций
Политика использования ИИ
Архив выпусков
Новости
Вопрос-ответ
Контакты
Автор
S. Hastuty
Подать статью
Последние выпуски
2024
,
Том 52
Выпуск 6
2024
,
Том 52
Выпуск 5
2024
,
Том 52
Выпуск 4
2024
,
Том 52
Выпуск 3
S. Hastuty
Место работы
Universitas Pertamina
Indonesia
Boron and nitrogen dopant atoms precise tuning (increment and reduction) of charge-transfer rates in hydrogenated graphene
G.K. Sunnardianto
F. Triawan
A.M. Aamer
S. Hastuty
A.B.D. Nandiyanto
A.G. Abdullah
Год: 2019
Том: 42
Выпуск: 2
11
1451
Страницы: 204-210
Сообщить автору об опечатке:
Адрес страницы с ошибкой:
Текст с ошибкой:
Ваш комментарий или корректная версия: