M. Danilyuk
  • Место работы
    Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics
  • Minsk, Belarus

Dependence of gallium nitride nanowires properties on synthesis pressure and temperature

  • Год: 2014
  • Том: 20
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 1191
  • Страницы: 73-79

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: