M. Danilyuk
  • Место работы
    Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics
  • Minsk, Belarus

Dependence of gallium nitride nanowires properties on synthesis pressure and temperature

  • Год: 2014
  • Том: 20
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 949
  • Страницы: 73-79