Hvazdouski
Hvazdouski
Место работы
Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics
Minsk, Belarus

Electronic and optic properties of transition metal dichalcogenides (MoS2, WSe2) and graphene heterostructures

  • Год: 2018
  • Том: 39
  • Выпуск: 1
  • 25
  • 2461
  • Страницы: 8-14

Ab initio simulation of graphene interaction with SiO2 substrate for nanoelectronics application

  • Год: 2018
  • Том: 39
  • Выпуск: 1
  • 30
  • 2355
  • Страницы: 27-34

First-principles study of anisotropic thermal conductivity of GaN, AlN, and Al0.5Ga0.5N

  • Год: 2022
  • Том: 49
  • Выпуск: 1
  • 49
  • 1795
  • Страницы: 97-107