V. Stempitsky
  • Место работы
    Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics
  • St.Petersburg, Russia

Device and technology simulation of IGBT on SOI structure

  • Год: 2014
  • Том: 20
  • Выпуск: 2
  • 3
  • 224
  • Страницы: 111-117

Modeling of microbial synthesis processes considering inoculums immobilization in porous nanostructured media

  • Год: 2014
  • Том: 20
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 228
  • Страницы: 130-141

Electronic and optic properties of transition metal dichalcogenides (MoS2, WSe2) and graphene heterostructures

  • Год: 2018
  • Том: 39
  • Выпуск: 1
  • 7
  • 342
  • Страницы: 8-14

Direct exchange interaction of cobalt chains in zinc oxide: model approach

  • Год: 2018
  • Том: 39
  • Выпуск: 1
  • 6
  • 329
  • Страницы: 15-20

Ab initio simulation of graphene interaction with SiO2 substrate for nanoelectronics application

  • Год: 2018
  • Том: 39
  • Выпуск: 1
  • 10
  • 302
  • Страницы: 27-34

Radiation influence on electrical characteristics of complementary junction field-effect transistors exploited at low temperatures

  • Год: 2018
  • Том: 39
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 213
  • Страницы: 92-101

Leakage current in AlGaN Schottky diode in terms of the phonon-assisted tunneling model

  • Год: 2019
  • Том: 41
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 297
  • Страницы: 19-29