Последние выпуски
- 2026,Том 54Выпуск 2
- 2026,Том 54Выпуск 1
- 2025,Том 53Выпуск 6
- 2025,Том 53Выпуск 5
Stempitsky
Место работы
Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics
St.Petersburg, Russia
Device and technology simulation of IGBT on SOI structure
- Год: 2014
- Том: 20
- Выпуск: 2
- 9
- 2563
- Страницы: 111-117
Modeling of microbial synthesis processes considering inoculums immobilization in porous nanostructured media
- Год: 2014
- Том: 20
- Выпуск: 2
- 3
- 2509
- Страницы: 130-141
Electronic and optic properties of transition metal dichalcogenides (MoS2, WSe2) and graphene heterostructures
- Год: 2018
- Том: 39
- Выпуск: 1
- 26
- 3340
- Страницы: 8-14
Direct exchange interaction of cobalt chains in zinc oxide: model approach
- Год: 2018
- Том: 39
- Выпуск: 1
- 11
- 2947
- Страницы: 15-20
Ab initio simulation of graphene interaction with SiO2 substrate for nanoelectronics application
- Год: 2018
- Том: 39
- Выпуск: 1
- 30
- 3180
- Страницы: 27-34
Radiation influence on electrical characteristics of complementary junction field-effect transistors exploited at low temperatures
- Год: 2018
- Том: 39
- Выпуск: 1
- 8
- 2563
- Страницы: 92-101
Leakage current in AlGaN Schottky diode in terms of the phonon-assisted tunneling model
- Год: 2019
- Том: 41
- Выпуск: 1
- 14
- 3011
- Страницы: 19-29
Magnetic properties of low-dimensional MAX3 (M=Cr, A=Ge, Si and X=S, Se, Te) systems
- Год: 2022
- Том: 49
- Выпуск: 1
- 68
- 2704
- Страницы: 73-84
First-principles study of anisotropic thermal conductivity of GaN, AlN, and Al0.5Ga0.5N
- Год: 2022
- Том: 49
- Выпуск: 1
- 52
- 2669
- Страницы: 97-107