V. Stempitsky
  • Место работы
    Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics
  • St.Petersburg, Russia

Device and technology simulation of IGBT on SOI structure

  • Год: 2014
  • Том: 20
  • Выпуск: 2
  • 8
  • 775
  • Страницы: 111-117

Modeling of microbial synthesis processes considering inoculums immobilization in porous nanostructured media

  • Год: 2014
  • Том: 20
  • Выпуск: 2
  • 2
  • 763
  • Страницы: 130-141

Electronic and optic properties of transition metal dichalcogenides (MoS2, WSe2) and graphene heterostructures

  • Год: 2018
  • Том: 39
  • Выпуск: 1
  • 21
  • 1157
  • Страницы: 8-14

Direct exchange interaction of cobalt chains in zinc oxide: model approach

  • Год: 2018
  • Том: 39
  • Выпуск: 1
  • 10
  • 1037
  • Страницы: 15-20

Ab initio simulation of graphene interaction with SiO2 substrate for nanoelectronics application

  • Год: 2018
  • Том: 39
  • Выпуск: 1
  • 24
  • 1127
  • Страницы: 27-34

Radiation influence on electrical characteristics of complementary junction field-effect transistors exploited at low temperatures

  • Год: 2018
  • Том: 39
  • Выпуск: 1
  • 7
  • 777
  • Страницы: 92-101

Leakage current in AlGaN Schottky diode in terms of the phonon-assisted tunneling model

  • Год: 2019
  • Том: 41
  • Выпуск: 1
  • 11
  • 1023
  • Страницы: 19-29

Magnetic properties of low-dimensional MAX3 (M=Cr, A=Ge, Si and X=S, Se, Te) systems

  • Год: 2022
  • Том: 49
  • Выпуск: 1
  • 36
  • 565
  • Страницы: 73-84

First-principles study of anisotropic thermal conductivity of GaN, AlN, and Al0.5Ga0.5N

  • Год: 2022
  • Том: 49
  • Выпуск: 1
  • 40
  • 588
  • Страницы: 97-107