V.S. Volcheck
  • Место работы
    Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics
  • Minsk, Belarus

Leakage current in AlGaN Schottky diode in terms of the phonon-assisted tunneling model

  • Год: 2019
  • Том: 41
  • Выпуск: 1
  • 14
  • 1479
  • Страницы: 19-29

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: