V.I. Zubkov
  • Место работы
    St. Petersburg Electrotechnical University LETI
  • St.Petersburg, Russia

Study of thermionic-tunnel component contribution in heterostructures of InGaAs/GaAs with a single quantum well by admittance methods

  • Год: 2019
  • Том: 41
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 284
  • Страницы: 30-35