U. Gösele
  • Место работы
    Max-Plank-Institute for Microstructure Physics
  • Halle/Saale, Germany

Heteroepitaxial Growth of InAs on Si: the New Type of Quantum Dots

  • Год: 2000
  • Том: 1
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 1278
  • Страницы: 15-19

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: