МФМ
    Механика и физика материаловСанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2000
    ISSN 1605-8119
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    АвторUstinov V.M.
    Подать статью
    Последние выпуски
    Ustinov V.M.
    Ustinov V.M.
    Место работы
    ioffe Institute
    St.Petersburg, Russia

    Heteroepitaxial Growth of InAs on Si: the New Type of Quantum Dots

    G.E. CirlinN.K. PolyakovV.N. Petrov
    • Год: 2000
    • Том: 1
    • Выпуск: 1
    • 15
    • 3104
    • Страницы: 15-19

    Zn diffusion from vapor phase into InGaAs/InP heterostructure using diethylzinc as a p-dopant source

    S.A. BlokhinLevin R.V.Epoletov V.S. Kuzmenkov A.G.A.A. BlokhinBobrov M.A.Kovach Y.N. Maleev N.A. Andryushkin V.V.Vasil’ev A.P. Voropaev K.O.
    • Год: 2023
    • Том: 51
    • Выпуск: 3
    • 48
    • 3078
    • Страницы: 38-45

    Peculiarities of the two-stage Zn diffusion profile formation from vapor phase into InGaAs/InP heterostructure for avalanche photodiode fabrication

    S.A. BlokhinLevin R.V.Epoletov V.S. Kuzmenkov A.G.A.A. BlokhinBobrov M.A.Kovach Y.N. Maleev N.A. Nikitina E.V.Andryushkin V.V.Vasil’ev A.P. Voropaev K.O.
    • Год: 2023
    • Том: 51
    • Выпуск: 4
    • 34
    • 2467
    • Страницы: 66-75

    Surface morphology of InGaAs and InP layers after local Zn diffusion from the vapor phase in the MOCVD reactor

    S.A. BlokhinLevin R.V.Epoletov V.S. Kuzmenkov A.G.A.A. BlokhinBobrov M.A.Kovach Y.N. Maleev N.A. Prasolov N.D.Kulagina M.M.Guseva Yu.А.Zadiranov Yu.М.Nikitina E.V.Andryushkin V.V.Vasil’ev A.P. Voropaev K.O.
    • Год: 2023
    • Том: 51
    • Выпуск: 5
    • 70
    • 2996
    • Страницы: 142-151