M.V. Yakushev
  • Место работы
    A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of RAS
  • Novosibirsk, Russia

Photoluminescence of Hg0.5Cd0.5Te structures grown with molecular-beam epitaxy

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 255
  • Страницы: 88-93