К.Д. Мынбаев
  • Место работы
    Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН
  • Санкт-Петербург, Россия

Оптимизация вывода света из мощных светодиодных сборок "чип на плате", излучающих в ультрафиолетовом диапазоне длин волн

  • Год: 2013
  • Том: 17
  • Выпуск: 2
  • 3
  • 639
  • Страницы: 111-120

Сравнение эффективности светодиодных излучателей на основе монохромных чипов и чипов с люминофором

  • Год: 2013
  • Том: 18
  • Выпуск: 2
  • 2
  • 566
  • Страницы: 135-142

Temperature stability of colored LED elements

  • Год: 2013
  • Том: 18
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 672
  • Страницы: 143-147

Моделирование рекомбинационных процессов в твердых растворах с масштабными флуктуациями состава

  • Год: 2013
  • Том: 18
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 565
  • Страницы: 171-178

Light emission from CdHgTe-based nanostructures

  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 2
  • 3
  • 572
  • Страницы: 112-118

Светоизлучающие р-n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3

  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 692
  • Страницы: 30-38

Оптические свойства толстых слоев нитрида галлия, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках

  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 724
  • Страницы: 24-31

Photoluminescence of Hg0.5Cd0.5Te structures grown with molecular-beam epitaxy

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 673
  • Страницы: 88-93

Axial misfit stress relaxation in core-shell nanowires with hexagonal core via nucleation of rectangular prismatic dislocation loops

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 6
  • 3
  • 760
  • Страницы: 776-783

On cracking in thick GaN layers grown on sapphire substrates

  • Год: 2020
  • Том: 44
  • Выпуск: 1
  • 17
  • 862
  • Страницы: 1-7

Analytical description of quantum effects at current filamentation in chalcogenide glasses

  • Год: 2020
  • Том: 46
  • Выпуск: 1
  • 12
  • 492
  • Страницы: 202-206

Non-equilibrium phonon gas in a chalcogenide semiconductor with exponential temperature dependence of conductivity

  • Год: 2022
  • Том: 48
  • Выпуск: 3
  • 41
  • 338
  • Страницы: 308-314