V.T. Khanko
  • Место работы
    Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics
  • Minsk, Belarus

Radiation influence on electrical characteristics of complementary junction field-effect transistors exploited at low temperatures

  • Год: 2018
  • Том: 39
  • Выпуск: 1
  • 7
  • 1170
  • Страницы: 92-101

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: