I. Lovshenko
  • Место работы
    Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics
  • St.Petersburg, Russia

Device and technology simulation of IGBT on SOI structure

  • Год: 2014
  • Том: 20
  • Выпуск: 2
  • 5
  • 359
  • Страницы: 111-117

Radiation influence on electrical characteristics of complementary junction field-effect transistors exploited at low temperatures

  • Год: 2018
  • Том: 39
  • Выпуск: 1
  • 5
  • 352
  • Страницы: 92-101