Последние выпуски
- 2026,Том 54Выпуск 2
- 2026,Том 54Выпуск 1
- 2025,Том 53Выпуск 6
- 2025,Том 53Выпуск 5
Lovshenko
Место работы
Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics
St.Petersburg, Russia
Device and technology simulation of IGBT on SOI structure
- Год: 2014
- Том: 20
- Выпуск: 2
- 9
- 2409
- Страницы: 111-117
Radiation influence on electrical characteristics of complementary junction field-effect transistors exploited at low temperatures
- Год: 2018
- Том: 39
- Выпуск: 1
- 8
- 2416
- Страницы: 92-101