Последние выпуски
- 2025, Том 53 Выпуск 4
- 2025, Том 53 Выпуск 3
- 2025, Том 53 Выпуск 2
- 2025, Том 53 Выпуск 1
Egorov
Место работы
ITMO University
St.Petersburg, Russia
Molecular beam epitaxy grown strained heterostructures for active region of laser diode with emission wavelength 1520−1580 nm
- Год: 2015
- Том: 24
- Выпуск: 3
- 6
- 1799
- Страницы: 284-288
The structural properties of elastically strained InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures grown by molecular beam epitaxy
- Год: 2016
- Том: 29
- Выпуск: 1
- 8
- 1887
- Страницы: 76-81
Study of antireflection coatings for high speed 1.3 -1.55 µm InGaAs/InP PIN photodetector
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 2
- 21
- 2325
- Страницы: 194-197