В.Е. Бугров
  • Место работы
    Университет ИТМО
  • Санкт-Петербург, Россия

Параметрическое моделирование светоизлучающих структур на основе III-нитридов

  • Год: 2012
  • Том: 14
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 277
  • Страницы: 78-86

Оптимизация вывода света из мощных светодиодных сборок "чип на плате", излучающих в ультрафиолетовом диапазоне длин волн

  • Год: 2013
  • Том: 17
  • Выпуск: 2
  • 2
  • 257
  • Страницы: 111-120

Моделирование теплообмена и оптимизация свойств материалов пластиковых радиаторов ретрофитных светодиодных ламп

  • Год: 2013
  • Том: 17
  • Выпуск: 2
  • 3
  • 243
  • Страницы: 178-182

Сравнение эффективности светодиодных излучателей на основе монохромных чипов и чипов с люминофором

  • Год: 2013
  • Том: 18
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 220
  • Страницы: 135-142

Temperature stability of colored LED elements

  • Год: 2013
  • Том: 18
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 250
  • Страницы: 143-147

Неорганический композит "стекло-люминофор" на основе высокопреломляющей свинцово-силикатной матрицы для белых светодиодов

  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 3
  • 1
  • 290
  • Страницы: 242-247

Thermal analysis of phosphor containing silicone layer in high power LEDs

  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 253
  • Страницы: 283-287

Светоизлучающие р-n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3

  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 271
  • Страницы: 30-38

Толстые эпитаксиальные слои нитрида галлия на кремниевой подложке

  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 229
  • Страницы: 53-58

GaN growth ON β-Ga2O3 substrates by HVPE

  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 1
  • 7
  • 299
  • Страницы: 59-58

Сравнение характеристик диодов Шоттки на основе β-Ga2O3 и других широкозонных полупроводниковых материалов

  • Год: 2015
  • Том: 24
  • Выпуск: 2
  • 9
  • 298
  • Страницы: 194-200

Simulation operation regimes of passive mode-locked laser based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures

  • Год: 2016
  • Том: 27
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 191
  • Страницы: 74-78

Оптические свойства толстых слоев нитрида галлия, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках

  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 295
  • Страницы: 24-31

Influence of absorber characteristics on operation regimes of passive mode locked lasers based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures

  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 237
  • Страницы: 71-75

Electrical and optical properties of transparent conducting ZnO:Al/AgNP multilayer films

  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 292
  • Страницы: 145-149

Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 2
  • 4
  • 325
  • Страницы: 178-185

Study of antireflection coatings for high speed 1.3 -1.55 µm InGaAs/InP PIN photodetector

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 2
  • 4
  • 294
  • Страницы: 194-197

Fabrication of p-type transparent oxide films with delafossite structure by sol-gel processing

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 3
  • 2
  • 330
  • Страницы: 288-292

Relation of the optical properties of boron copper-containing glasses on the concentration of lithium

  • Год: 2018
  • Том: 40
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 291
  • Страницы: 78-83

The influence of gamma rays radiation on optically induced luminescence of copper-containing potassium-lithium-borate glass

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 2
  • 4
  • 345
  • Страницы: 198-203

Structural characterization of bulk (AlXGa1-X)2O3 crystals grown by the ózochralski method

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 6
  • 7
  • 336
  • Страницы: 797-801

Czochralski grown (AlxGa1-x)2O3 crystals with variable Al content

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 6
  • 15
  • 392
  • Страницы: 802-807

On cracking in thick GaN layers grown on sapphire substrates

  • Год: 2020
  • Том: 44
  • Выпуск: 1
  • 10
  • 356
  • Страницы: 1-7

Growth of thick gallium oxide on the various substrates by halide vapor phase epitaxy

  • Год: 2020
  • Том: 44
  • Выпуск: 2
  • 16
  • 425
  • Страницы: 164-171