Е.С. Колодезный
  • Место работы
    Университет ИТМО
  • Санкт-Петербург, Россия

Thermal analysis of phosphor containing silicone layer in high power LEDs

  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 3
  • 0
  • 278
  • Страницы: 283-287

Сравнение характеристик диодов Шоттки на основе β-Ga2O3 и других широкозонных полупроводниковых материалов

  • Год: 2015
  • Том: 24
  • Выпуск: 2
  • 9
  • 318
  • Страницы: 194-200

Molecular beam epitaxy grown strained heterostructures for active region of laser diode with emission wavelength 1520-1580 nm

  • Год: 2015
  • Том: 24
  • Выпуск: 3
  • 1
  • 261
  • Страницы: 284-288

Influence of absorber characteristics on operation regimes of passive mode locked lasers based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures

  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 256
  • Страницы: 71-75

The structural properties of elastically strained InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures grown by molecular beam epitaxy

  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 237
  • Страницы: 76-81

Study of antireflection coatings for high speed 1.3 -1.55 µm InGaAs/InP PIN photodetector

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 2
  • 4
  • 318
  • Страницы: 194-197