Е.С. Колодезный
  • Место работы
    Университет ИТМО
  • Санкт-Петербург, Россия

Thermal analysis of phosphor containing silicone layer in high power LEDs

  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 3
  • 2
  • 510
  • Страницы: 283-287

Сравнение характеристик диодов Шоттки на основе β-Ga2O3 и других широкозонных полупроводниковых материалов

  • Год: 2015
  • Том: 24
  • Выпуск: 2
  • 18
  • 627
  • Страницы: 194-200

Molecular beam epitaxy grown strained heterostructures for active region of laser diode with emission wavelength 1520-1580 nm

  • Год: 2015
  • Том: 24
  • Выпуск: 3
  • 2
  • 482
  • Страницы: 284-288

Influence of absorber characteristics on operation regimes of passive mode locked lasers based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures

  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 506
  • Страницы: 71-75

The structural properties of elastically strained InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures grown by molecular beam epitaxy

  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 463
  • Страницы: 76-81

Study of antireflection coatings for high speed 1.3 -1.55 µm InGaAs/InP PIN photodetector

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 2
  • 8
  • 574
  • Страницы: 194-197