Параметрическое моделирование светоизлучающих структур на основе III-нитридов

Авторы:
С.С. Суслов К.А. Виноградова В.Е. Бугров М.А. Одноблюдов А. Е. Романов
Аннотация:

Рассматривается задача параметрической оптимизации свойств нитридного светоизлучающего чипа в рамках самосогласованного электро-тепло- светового подхода. Представляются рассчитанные зависимости мощности излучения, КПД чипа, картины растекания тока при контролируемых изменениях в геометрии электродов. Решение задачи оптимизации предсказывает более 8 % прирост КПД устройства. Моделирование выполнено с использованием оригинального программного обеспечения, основанного на методе конечных объемов и методе трассировки лучей.