М.А. Одноблюдов
  • Место работы
    Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
  • Санкт-Петербург, Россия

Параметрическое моделирование светоизлучающих структур на основе III-нитридов

  • Год: 2012
  • Том: 14
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 478
  • Страницы: 78-86

Оптимизация вывода света из мощных светодиодных сборок "чип на плате", излучающих в ультрафиолетовом диапазоне длин волн

  • Год: 2013
  • Том: 17
  • Выпуск: 2
  • 3
  • 427
  • Страницы: 111-120

Моделирование теплообмена и оптимизация свойств материалов пластиковых радиаторов ретрофитных светодиодных ламп

  • Год: 2013
  • Том: 17
  • Выпуск: 2
  • 4
  • 413
  • Страницы: 178-182

Сравнение эффективности светодиодных излучателей на основе монохромных чипов и чипов с люминофором

  • Год: 2013
  • Том: 18
  • Выпуск: 2
  • 2
  • 380
  • Страницы: 135-142

Светоизлучающие р-n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3

  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 470
  • Страницы: 30-38

Толстые эпитаксиальные слои нитрида галлия на кремниевой подложке

  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 1
  • 5
  • 402
  • Страницы: 53-58

Simulation operation regimes of passive mode-locked laser based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures

  • Год: 2016
  • Том: 27
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 333
  • Страницы: 74-78

Оптические свойства толстых слоев нитрида галлия, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках

  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 504
  • Страницы: 24-31

Influence of absorber characteristics on operation regimes of passive mode locked lasers based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures

  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 410
  • Страницы: 71-75

Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 2
  • 7
  • 546
  • Страницы: 178-185

Growth of thick gallium oxide on the various substrates by halide vapor phase epitaxy

  • Год: 2020
  • Том: 44
  • Выпуск: 2
  • 31
  • 756
  • Страницы: 164-171

On physical properties of few-photon detectors based on structures with micropillars

  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 6
  • 28
  • 352
  • Страницы: 978-986