МФМ
Механика и физика материалов Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2000
ISSN 1605-8119
ru Русский
Версия для слабовидящих
Автор Ustinov V.M.
Подать статью
Последние выпуски
Ustinov V.M.
Ustinov V.M.
Место работы
ioffe Institute
St.Petersburg, Russia

Heteroepitaxial Growth of InAs on Si: the New Type of Quantum Dots

G.E. Cirlin N.K. Polyakov V.N. Petrov
  • Год: 2000
  • Том: 1
  • Выпуск: 1
  • 7
  • 2156
  • Страницы: 15-19

Zn diffusion from vapor phase into InGaAs/InP heterostructure using diethylzinc as a p-dopant source

S.A. Blokhin Levin R.V. Epoletov V.S. Kuzmenkov A.G. A.A. Blokhin Bobrov M.A. Kovach Y.N. Maleev N.A. Andryushkin V.V. Vasil’ev A.P. Voropaev K.O.
  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 3
  • 30
  • 1604
  • Страницы: 38-45

Peculiarities of the two-stage Zn diffusion profile formation from vapor phase into InGaAs/InP heterostructure for avalanche photodiode fabrication

S.A. Blokhin Levin R.V. Epoletov V.S. Kuzmenkov A.G. A.A. Blokhin Bobrov M.A. Kovach Y.N. Maleev N.A. Nikitina E.V. Andryushkin V.V. Vasil’ev A.P. Voropaev K.O.
  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 4
  • 32
  • 1454
  • Страницы: 66-75

Surface morphology of InGaAs and InP layers after local Zn diffusion from the vapor phase in the MOCVD reactor

S.A. Blokhin Levin R.V. Epoletov V.S. Kuzmenkov A.G. A.A. Blokhin Bobrov M.A. Kovach Y.N. Maleev N.A. Prasolov N.D. Kulagina M.M. Guseva Yu.А. Zadiranov Yu.М. Nikitina E.V. Andryushkin V.V. Vasil’ev A.P. Voropaev K.O.
  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 5
  • 52
  • 1776
  • Страницы: 142-151