Б.О. Кушнарев
  • Место работы
    Томский Государственный Университет
  • Томск, Россия

HVPE growth of corundum-structured α-Ga2O3 on sapphire substrates with α-Cr2O3 buffer layer

  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 4
  • 85
  • 1827
  • Страницы: 577-581