Кушнарев
Кушнарев
Место работы
Томский Государственный Университет
Томск, Россия

HVPE growth of corundum-structured α-Ga2O3 on sapphire substrates with α-Cr2O3 buffer layer

  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 4
  • 105
  • 2891
  • Страницы: 577-581