МФМ
Механика и физика материалов Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2000
ISSN 1605-8119
ru Русский
Версия для слабовидящих
Автор С.И. Степанов
Подать статью
Последние выпуски
С.И. Степанов
  • Место работы
    ФТИ им. А.Ф.Иоффе
  • Санкт-Петербург, Россия

Светоизлучающие р-n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3

М.Г. Мынбаева А.И. Печников Ш.Ш. Шарофидинов В.Е. Бугров К.Д. Мынбаев С.И. Степанов М.А. Одноблюдов В.И Николаев А. Е. Романов
  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 777
  • Страницы: 30-38

Толстые эпитаксиальные слои нитрида галлия на кремниевой подложке

Ш.Ш. Шарофидинов А.А. Головатенко И.П. Никитина Н.В. Середова М.Г. Мынбаева В.Е. Бугров М.А. Одноблюдов С.И. Степанов В.И Николаев
  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 1
  • 5
  • 661
  • Страницы: 53-58

GaN growth ON β-Ga2O3 substrates by HVPE

В.И Николаев А.И. Печников В.Н. Маслов А.А. Головатенко В.М. Крымов С.И. Степанов Н.К. Жумашев В.Е. Бугров А. Е. Романов
  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 1
  • 9
  • 784
  • Страницы: 59-58

Shape memory Cu-Al-Ni single crystals for application in rotary actuators

А.И. Прядко В.И Николаев С.А. Пульнев С.И. Степанов А.В. Рогов А.В. Чикиряка О.А. Шмаков
  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 1
  • 11
  • 735
  • Страницы: 83-87

Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates

А.В. Кремлева Д.А. Кириленко В.И Николаев А.И. Печников С.И. Степанов М.А. Одноблюдов В.Е. Бугров А. Е. Романов
  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 2
  • 8
  • 862
  • Страницы: 178-185

Burst-like shape memory recovery and calorimetric effect in Cu-Al-Ni alloy single crystals at cyclic test

Л.И. Гузилова В.И Николаев П.Н. Якушев С.И. Степанов Р.Б. Тимашов А.В. Чикиряка С.А. Пульнев
  • Год: 2020
  • Том: 46
  • Выпуск: 1
  • 35
  • 779
  • Страницы: 42-49

Jumping at strain recovery in shape memory Cu-Al-Ni single crystals

В.И Николаев Р.Б. Тимашов С.А. Пульнев Л.И. Гузилова P.N. Butenko С.И. Степанов
  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 1
  • 45
  • 884
  • Страницы: 59-64

HVPE growth of corundum-structured α-Ga2O3 on sapphire substrates with α-Cr2O3 buffer layer

С.И. Степанов В.И Николаев Алмаев А.В. А.И. Печников Щеглов М.П. А.В. Чикиряка Кушнарев Б.О. Поляков А.Я.
  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 4
  • 59
  • 1270
  • Страницы: 577-581

Effect of Si+ ion irradiation of α-Ga2O3 epitaxial layers on their hydrogen sensitivity

Yakovlev N.N. Алмаев А.В. P.N. Butenko Mikhaylov A.N. А.И. Печников С.И. Степанов Р.Б. Тимашов А.В. Чикиряка В.И Николаев
  • Год: 2022
  • Том: 48
  • Выпуск: 3
  • 66
  • 537
  • Страницы: 301-307

Epitaxial stabilization of α-Ga2O3 layers grown on r-plane sapphire

В.И Николаев Поляков А.Я. С.И. Степанов А.И. Печников Л.И. Гузилова Щеглов М.П. А.В. Чикиряка
  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 1
  • 43
  • 377
  • Страницы: 1-9