С.И. Степанов
  • Место работы
    ФТИ им. А.Ф.Иоффе
  • Санкт-Петербург, Россия

Светоизлучающие р-n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3

  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 591
  • Страницы: 30-38

Толстые эпитаксиальные слои нитрида галлия на кремниевой подложке

  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 1
  • 5
  • 486
  • Страницы: 53-58

GaN growth ON β-Ga2O3 substrates by HVPE

  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 1
  • 9
  • 580
  • Страницы: 59-58

Shape memory Cu-Al-Ni single crystals for application in rotary actuators

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 1
  • 11
  • 556
  • Страницы: 83-87

Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 2
  • 7
  • 646
  • Страницы: 178-185

Burst-like shape memory recovery and calorimetric effect in Cu-Al-Ni alloy single crystals at cyclic test

  • Год: 2020
  • Том: 46
  • Выпуск: 1
  • 34
  • 587
  • Страницы: 42-49

Jumping at strain recovery in shape memory Cu-Al-Ni single crystals

  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 1
  • 44
  • 648
  • Страницы: 59-64

HVPE growth of corundum-structured α-Ga2O3 on sapphire substrates with α-Cr2O3 buffer layer

  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 4
  • 46
  • 914
  • Страницы: 577-581

Effect of Si+ ion irradiation of α-Ga2O3 epitaxial layers on their hydrogen sensitivity

  • Год: 2022
  • Том: 48
  • Выпуск: 3
  • 43
  • 283
  • Страницы: 301-307