МФМ
    Механика и физика материаловСанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2000
    ISSN 1605-8119
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    АвторНиколаев
    Подать статью
    Последние выпуски
    Николаев
    Николаев
    Место работы
    Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН
    Санкт-Петербург, Россия

    Оптимизация вывода света из мощных светодиодных сборок «чип на плате», излучающих в ультрафиолетовом диапазоне длин волн

    К.А. ВиноградоваС.Н. ЛипницкаяК.Д. МынбаевВ.Е. БугровА.Р. КовшМ.А. ОдноблюдовВ.И НиколаевРоманов А.Е.
    • Год: 2013
    • Том: 17
    • Выпуск: 2
    • 5
    • 2746
    • Страницы: 111-120

    Сравнение эффективности светодиодных излучателей на основе монохромных чипов и чипов с люминофором

    К.А. ВиноградоваЛ.А. НикулинаК.Д. МынбаевА.Р. КовшМ.А. ОдноблюдовВ.И НиколаевВ.Е. Бугров
    • Год: 2013
    • Том: 18
    • Выпуск: 2
    • 5
    • 2789
    • Страницы: 135-142

    Temperature stability of colored LED elements

    К.А. ВиноградоваЛ.А. НикулинаС.С. БраславскийЕ.А. СоловьеваК.Д. МынбаевВ.И НиколаевРоманов А.Е.В.Е. Бугров
    • Год: 2013
    • Том: 18
    • Выпуск: 2
    • 3
    • 2839
    • Страницы: 143-147

    Монокристаллы β-Ga2O3, выращенные из расплава оксидов галлия и алюминия

    В.Н. МасловВ.М. КрымовЕ.В. КалашниковВ.И Николаев
    • Год: 2014
    • Том: 21
    • Выпуск: 2
    • 25
    • 2801
    • Страницы: 194-199

    Светоизлучающие р-n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3

    М.Г. МынбаеваА.И. ПечниковШ.Ш. ШарофидиновВ.Е. БугровК.Д. МынбаевС.И. СтепановМ.А. ОдноблюдовВ.И НиколаевРоманов А.Е.
    • Год: 2015
    • Том: 22
    • Выпуск: 1
    • 3
    • 2924
    • Страницы: 30-38

    Толстые эпитаксиальные слои нитрида галлия на кремниевой подложке

    Ш.Ш. ШарофидиновА.А. ГоловатенкоИ.П. НикитинаН.В. СередоваМ.Г. МынбаеваВ.Е. БугровМ.А. ОдноблюдовС.И. СтепановВ.И Николаев
    • Год: 2015
    • Том: 22
    • Выпуск: 1
    • 7
    • 2686
    • Страницы: 53-58

    GaN growth ON β-Ga2O3 substrates by HVPE

    В.И НиколаевА.И. ПечниковВ.Н. МасловА.А. ГоловатенкоВ.М. КрымовС.И. СтепановН.К. ЖумашевВ.Е. БугровРоманов А.Е.
    • Год: 2015
    • Том: 22
    • Выпуск: 1
    • 14
    • 3067
    • Страницы: 59-58

    Особенности восстановления деформации памяти формы в монокристаллах сплавов Cu-Al-Ni

    А.И. АверкинП.Н. ЯкушевЕ.В. ТрофимоваГ.П. ЗографР.Б. ТимашовС.А. ПульневС.Б. КустовВ.И Николаев
    • Год: 2015
    • Том: 22
    • Выпуск: 1
    • 20
    • 2886
    • Страницы: 64-68

    Оптические свойства толстых слоев нитрида галлия, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках

    М.Г. МынбаеваА.И. ПечниковА.Н. СмирновД.А. КириленкоС.Ч. РауфовА.А. СитниковаМ.А. ОдноблюдовВ.Е. БугровК.Д. МынбаевВ.И НиколаевРоманов А.Е.
    • Год: 2016
    • Том: 29
    • Выпуск: 1
    • 13
    • 3026
    • Страницы: 24-31

    Исследование изгибного силового элемента из монокристаллического сплава Cu.Al.Ni для линейных двигателей

    А.И. ПрядкоС.А. ПульневВ.И НиколаевА.В. РоговО.А. ШмаковС.Н. ГоляндинА.В. Чикиряка
    • Год: 2016
    • Том: 29
    • Выпуск: 2
    • 11
    • 2896
    • Страницы: 158-165

    Исследование эпитаксиальных слоёв и монокристаллов β-Ga2O3 методом наноиндентирования

    Гузилова Л.И.А.С. ГращенкоА.И. ПечниковВ.Н. МасловД.В. ЗавьяловВ.Л. АбдрахмановРоманов А.Е.В.И Николаев
    • Год: 2016
    • Том: 29
    • Выпуск: 2
    • 68
    • 4264
    • Страницы: 166-171

    Shape memory Cu-Al-Ni single crystals for application in rotary actuators

    А.И. ПрядкоВ.И НиколаевС.А. ПульневС.И. СтепановА.В. РоговА.В. ЧикирякаО.А. Шмаков
    • Год: 2017
    • Том: 32
    • Выпуск: 1
    • 14
    • 2859
    • Страницы: 83-87

    Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates

    А.В. КремлеваД.А. КириленкоВ.И НиколаевА.И. ПечниковС.И. СтепановМ.А. ОдноблюдовВ.Е. БугровРоманов А.Е.
    • Год: 2017
    • Том: 32
    • Выпуск: 2
    • 9
    • 3193
    • Страницы: 178-185

    Burst-like shape memory recovery and calorimetric effect in Cu-Al-Ni alloy single crystals at cyclic test

    Гузилова Л.И.В.И НиколаевП.Н. ЯкушевС.И. СтепановР.Б. ТимашовА.В. ЧикирякаС.А. Пульнев
    • Год: 2020
    • Том: 46
    • Выпуск: 1
    • 46
    • 3067
    • Страницы: 42-49

    Wear resistance of α- and β- gallium oxide coatings

    P.N. ButenkoГузилова Л.И.А.В. ЧикирякаА.И. ПечниковА.С. ГращенкоPozdnyakov A.O.В.И Николаев
    • Год: 2021
    • Том: 47
    • Выпуск: 1
    • 52
    • 3161
    • Страницы: 52-58

    Jumping at strain recovery in shape memory Cu-Al-Ni single crystals

    В.И НиколаевР.Б. ТимашовС.А. ПульневГузилова Л.И.P.N. ButenkoС.И. Степанов
    • Год: 2021
    • Том: 47
    • Выпуск: 1
    • 60
    • 3123
    • Страницы: 59-64

    HVPE growth of corundum-structured α-Ga2O3 on sapphire substrates with α-Cr2O3 buffer layer

    С.И. СтепановВ.И НиколаевАлмаев А.В.А.И. ПечниковЩеглов М.П.А.В. ЧикирякаКушнарев Б.О.Поляков А.Я.
    • Год: 2021
    • Том: 47
    • Выпуск: 4
    • 113
    • 3763
    • Страницы: 577-581

    Effect of Si+ ion irradiation of α-Ga2O3 epitaxial layers on their hydrogen sensitivity

    Yakovlev N.N.Алмаев А.В.P.N. ButenkoMikhaylov A.N. А.И. ПечниковС.И. СтепановР.Б. ТимашовА.В. ЧикирякаВ.И Николаев
    • Год: 2022
    • Том: 48
    • Выпуск: 3
    • 88
    • 2513
    • Страницы: 301-307

    Epitaxial stabilization of α-Ga2O3 layers grown on r-plane sapphire

    В.И НиколаевПоляков А.Я.С.И. СтепановА.И. ПечниковГузилова Л.И.Щеглов М.П.А.В. Чикиряка
    • Год: 2023
    • Том: 51
    • Выпуск: 1
    • 124
    • 2644
    • Страницы: 1-9

    The analysis of the etch pits parameters in the (-201) plane of the β-Ga2O3 substrate crystals

    Zarichny A.A.P.N. ButenkoM.E. BoikoM.D. SharkovВ.И Николаев
    • Год: 2023
    • Том: 51
    • Выпуск: 3
    • 40
    • 2325
    • Страницы: 46-51

    Tribological characteristics of bulk (-201) β-Ga2O3 substrate crystals grown by EFG

    P.N. ButenkoM.E. BoikoА.В. ЧикирякаГузилова Л.И.Pozdnyakov A.O.M.D. SharkovАлмаев А.В.В.И Николаев
    • Год: 2023
    • Том: 51
    • Выпуск: 6
    • 39
    • 2210
    • Страницы: 135-144

    Spalling-induced β-Ga2O3 lift-off protocol

    P.N. ButenkoА.В. ЧикирякаM.E. BoikoГузилова Л.И.В.М. КрымовObidov B.A.Р.Б. ТимашовShapenkov S.V. M.D. SharkovВ.И Николаев
    • Год: 2024
    • Том: 52
    • Выпуск: 5
    • 25
    • 3238
    • Страницы: 55-63