А.И. Печников
  • Место работы
    ФТИ им. А.Ф.Иоффе
  • Санкт-Петербург, Россия

Светоизлучающие р-n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3

  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 588
  • Страницы: 30-38

GaN growth ON β-Ga2O3 substrates by HVPE

  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 1
  • 9
  • 579
  • Страницы: 59-58

Оптические свойства толстых слоев нитрида галлия, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках

  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 617
  • Страницы: 24-31

Исследование эпитаксиальных слоёв и монокристаллов β-Ga2O3 методом наноиндентирования

  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 2
  • 26
  • 818
  • Страницы: 166-171

Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 2
  • 7
  • 636
  • Страницы: 178-185

Wear resistance of α- and β- gallium oxide coatings

  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 1
  • 37
  • 640
  • Страницы: 52-58

HVPE growth of corundum-structured α-Ga2O3 on sapphire substrates with α-Cr2O3 buffer layer

  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 4
  • 46
  • 892
  • Страницы: 577-581

Effect of Si+ ion irradiation of α-Ga2O3 epitaxial layers on their hydrogen sensitivity

  • Год: 2022
  • Том: 48
  • Выпуск: 3
  • 43
  • 283
  • Страницы: 301-307