МФМ
    Механика и физика материаловСанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2000
    ISSN 1605-8119
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    АвторПечников
    Подать статью
    Последние выпуски
    Печников
    Печников
    Место работы
    ФТИ им. А.Ф.Иоффе
    Санкт-Петербург, Россия

    Светоизлучающие р-n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3

    М.Г. МынбаеваА.И. ПечниковШ.Ш. ШарофидиновВ.Е. БугровК.Д. МынбаевС.И. СтепановМ.А. ОдноблюдовВ.И НиколаевРоманов А.Е.
    • Год: 2015
    • Том: 22
    • Выпуск: 1
    • 3
    • 2783
    • Страницы: 30-38

    GaN growth ON β-Ga2O3 substrates by HVPE

    В.И НиколаевА.И. ПечниковВ.Н. МасловА.А. ГоловатенкоВ.М. КрымовС.И. СтепановН.К. ЖумашевВ.Е. БугровРоманов А.Е.
    • Год: 2015
    • Том: 22
    • Выпуск: 1
    • 14
    • 2921
    • Страницы: 59-58

    Оптические свойства толстых слоев нитрида галлия, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках

    М.Г. МынбаеваА.И. ПечниковА.Н. СмирновД.А. КириленкоС.Ч. РауфовА.А. СитниковаМ.А. ОдноблюдовВ.Е. БугровК.Д. МынбаевВ.И НиколаевРоманов А.Е.
    • Год: 2016
    • Том: 29
    • Выпуск: 1
    • 13
    • 2876
    • Страницы: 24-31

    Исследование эпитаксиальных слоёв и монокристаллов β-Ga2O3 методом наноиндентирования

    Гузилова Л.И.А.С. ГращенкоА.И. ПечниковВ.Н. МасловД.В. ЗавьяловВ.Л. АбдрахмановРоманов А.Е.В.И Николаев
    • Год: 2016
    • Том: 29
    • Выпуск: 2
    • 67
    • 3894
    • Страницы: 166-171

    Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates

    А.В. КремлеваД.А. КириленкоВ.И НиколаевА.И. ПечниковС.И. СтепановМ.А. ОдноблюдовВ.Е. БугровРоманов А.Е.
    • Год: 2017
    • Том: 32
    • Выпуск: 2
    • 9
    • 3032
    • Страницы: 178-185

    Wear resistance of α- and β- gallium oxide coatings

    P.N. ButenkoГузилова Л.И.А.В. ЧикирякаА.И. ПечниковА.С. ГращенкоPozdnyakov A.O.В.И Николаев
    • Год: 2021
    • Том: 47
    • Выпуск: 1
    • 52
    • 3015
    • Страницы: 52-58

    HVPE growth of corundum-structured α-Ga2O3 on sapphire substrates with α-Cr2O3 buffer layer

    С.И. СтепановВ.И НиколаевАлмаев А.В.А.И. ПечниковЩеглов М.П.А.В. ЧикирякаКушнарев Б.О.Поляков А.Я.
    • Год: 2021
    • Том: 47
    • Выпуск: 4
    • 110
    • 3593
    • Страницы: 577-581

    Effect of Si+ ion irradiation of α-Ga2O3 epitaxial layers on their hydrogen sensitivity

    Yakovlev N.N.Алмаев А.В.P.N. ButenkoMikhaylov A.N. А.И. ПечниковС.И. СтепановР.Б. ТимашовА.В. ЧикирякаВ.И Николаев
    • Год: 2022
    • Том: 48
    • Выпуск: 3
    • 88
    • 2372
    • Страницы: 301-307

    Epitaxial stabilization of α-Ga2O3 layers grown on r-plane sapphire

    В.И НиколаевПоляков А.Я.С.И. СтепановА.И. ПечниковГузилова Л.И.Щеглов М.П.А.В. Чикиряка
    • Год: 2023
    • Том: 51
    • Выпуск: 1
    • 123
    • 2511
    • Страницы: 1-9