МФМ
Механика и физика материалов Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2000
ISSN 1605-8119
ru Русский
Версия для слабовидящих
Автор А.И. Печников
Подать статью
Последние выпуски
А.И. Печников
  • Место работы
    ФТИ им. А.Ф.Иоффе
  • Санкт-Петербург, Россия

Светоизлучающие р-n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3

М.Г. Мынбаева А.И. Печников Ш.Ш. Шарофидинов В.Е. Бугров К.Д. Мынбаев С.И. Степанов М.А. Одноблюдов В.И Николаев А. Е. Романов
  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 1021
  • Страницы: 30-38

GaN growth ON β-Ga2O3 substrates by HVPE

В.И Николаев А.И. Печников В.Н. Маслов А.А. Головатенко В.М. Крымов С.И. Степанов Н.К. Жумашев В.Е. Бугров А. Е. Романов
  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 1
  • 11
  • 1055
  • Страницы: 59-58

Оптические свойства толстых слоев нитрида галлия, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках

М.Г. Мынбаева А.И. Печников А.Н. Смирнов Д.А. Кириленко С.Ч. Рауфов А.А. Ситникова М.А. Одноблюдов В.Е. Бугров К.Д. Мынбаев В.И Николаев А. Е. Романов
  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 1
  • 6
  • 1057
  • Страницы: 24-31

Исследование эпитаксиальных слоёв и монокристаллов β-Ga2O3 методом наноиндентирования

Л.И. Гузилова А.С. Гращенко А.И. Печников В.Н. Маслов Д.В. Завьялов В.Л. Абдрахманов А. Е. Романов В.И Николаев
  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 2
  • 47
  • 1611
  • Страницы: 166-171

Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates

А.В. Кремлева Д.А. Кириленко В.И Николаев А.И. Печников С.И. Степанов М.А. Одноблюдов В.Е. Бугров А. Е. Романов
  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 2
  • 8
  • 1127
  • Страницы: 178-185

Wear resistance of α- and β- gallium oxide coatings

P.N. Butenko Л.И. Гузилова А.В. Чикиряка А.И. Печников А.С. Гращенко Pozdnyakov В.И Николаев
  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 1
  • 48
  • 1113
  • Страницы: 52-58

HVPE growth of corundum-structured α-Ga2O3 on sapphire substrates with α-Cr2O3 buffer layer

С.И. Степанов В.И Николаев Алмаев А.В. А.И. Печников Щеглов М.П. А.В. Чикиряка Кушнарев Б.О. Поляков А.Я.
  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 4
  • 74
  • 1572
  • Страницы: 577-581

Effect of Si+ ion irradiation of α-Ga2O3 epitaxial layers on their hydrogen sensitivity

Yakovlev N.N. Алмаев А.В. P.N. Butenko Mikhaylov A.N. А.И. Печников С.И. Степанов Р.Б. Тимашов А.В. Чикиряка В.И Николаев
  • Год: 2022
  • Том: 48
  • Выпуск: 3
  • 80
  • 796
  • Страницы: 301-307

Epitaxial stabilization of α-Ga2O3 layers grown on r-plane sapphire

В.И Николаев Поляков А.Я. С.И. Степанов А.И. Печников Л.И. Гузилова Щеглов М.П. А.В. Чикиряка
  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 1
  • 93
  • 730
  • Страницы: 1-9