Последние выпуски
- 2025, Том 53 Выпуск 6
- 2025, Том 53 Выпуск 5
- 2025, Том 53 Выпуск 4
- 2025, Том 53 Выпуск 3
Epoletov
Место работы
Ioffe Institute
Saint Petersburg, Russia
Zn diffusion from vapor phase into InGaAs/InP heterostructure using diethylzinc as a p-dopant source
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 3
- 30
- 1604
- Страницы: 38-45
Peculiarities of the two-stage Zn diffusion profile formation from vapor phase into InGaAs/InP heterostructure for avalanche photodiode fabrication
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 4
- 32
- 1454
- Страницы: 66-75
Surface morphology of InGaAs and InP layers after local Zn diffusion from the vapor phase in the MOCVD reactor
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 5
- 52
- 1776
- Страницы: 142-151