M. Kaniewska
  • Место работы
    Institute of Electron Technology
  • Warsaw, Poland

Nanostructured Layers in High Temperature - Pressure Treated Silicon Implanted with Hydrogen / Helium

  • Год: 2002
  • Том: 5
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 366
  • Страницы: 31-38