K.S. Zhuravlev
  • Место работы
    Institute of Semiconductor Physics, RAS
  • Novosibirsk, Russia

Nanostructured Layers in High Temperature - Pressure Treated Silicon Implanted with Hydrogen / Helium

  • Год: 2002
  • Том: 5
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 394
  • Страницы: 31-38