Последние выпуски
- 2026,Том 54Выпуск 2
- 2026,Том 54Выпуск 1
- 2025,Том 53Выпуск 6
- 2025,Том 53Выпуск 5
Zhuravlev
Место работы
Institute of Semiconductor Physics, RAS
Novosibirsk, Russia
Nanostructured Layers in High Temperature — Pressure Treated Silicon Implanted with Hydrogen / Helium
- Год: 2002
- Том: 5
- Выпуск: 1
- 3
- 2278
- Страницы: 31-38