МФМ
Механика и физика материалов Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2000
ISSN 1605-8119
ru Русский
Версия для слабовидящих
Автор Antonova
Подать статью
Последние выпуски
Antonova
Antonova
Место работы
Institute of Semiconductor Physics, RAS
Novosibirsk, Russia

Nanostructured Layers in High Temperature — Pressure Treated Silicon Implanted with Hydrogen / Helium

A. Misiuk J. Bak - Misiuk M. Kaniewska K.S. Zhuravlev V. Raineri I.V. Antonova
  • Год: 2002
  • Том: 5
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 1713
  • Страницы: 31-38