МФМ
Механика и физика материалов Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
ru Русский
Версия для слабовидящих
Издается с 2000
ISSN 1605-8119
Автор I.V. Antonova
Подать статью
Последние выпуски
I.V. Antonova
  • Место работы
    Institute of Semiconductor Physics, RAS
  • Novosibirsk, Russia

Nanostructured Layers in High Temperature - Pressure Treated Silicon Implanted with Hydrogen / Helium

A. Misiuk J. Bak - Misiuk M. Kaniewska K.S. Zhuravlev V. Raineri I.V. Antonova
  • Год: 2002
  • Том: 5
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 1143
  • Страницы: 31-38

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: