Найти
МФМ
Механика и физика материалов
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2000
ISSN 1605-8119
Русский
Английский
Версия для слабовидящих
О журнале
Меню
О журнале
Редакционная коллегия
Показатели
Авторам
Меню
Название статьи
Аннотация к статье
Ключевые слова
Содержание и структура статьи
Технические требования
Список литературы
Подача и рассмотрение статьи
Рецензирование
Работа с электронной редакцией
Рецензентам
Меню
Порядок рецензирования
Работа с электронной редакцией
Этика научных публикаций
Архив выпусков
Новости
Вопрос-ответ
Контакты
Автор
M.N. Lapushkin
Подать статью
Последние выпуски
2024
,
Том 52
Выпуск 4
2024
,
Том 52
Выпуск 3
2024
,
Том 52
Выпуск 2
2024
,
Том 52
Выпуск 1
M.N. Lapushkin
Место работы
Institute for Problems of Mechanical Engineering of the RAS
St.Petersburg, Russia
Photoemission study of nano SiC epitaxial layers synthesized by a new method of the atom substitution in Si crystal lattice
G.V. Benemanskaya
P.A. Dementev
С.А. Кукушкин
M.N. Lapushkin
А.В. Осипов
B. Senkovskiy
S.N. Timoshnev
Год: 2015
Том: 22
Выпуск: 2
8
1214
Страницы: 183-190
Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC(111) surfaces
G.V. Benemanskaya
P.A. Dementev
С.А. Кукушкин
M.N. Lapushkin
А.В. Осипов
S.N. Timoshnev
Год: 2017
Том: 32
Выпуск: 2
6
1625
Страницы: 108-116