А.В. Осипов
  • Место работы
    Институт проблем машиноведения РАН
  • Санкт-Петербург, Россия

Critical Current Density in Polycrystalline High-Tc Superconductors with Disordered Tilt Boundaries

  • Год: 2000
  • Том: 1
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 288
  • Страницы: 49-53

Heteroepitaxy of Gallium Nitride Layers: the Role of Initial Stages in Film Formation

  • Год: 2003
  • Том: 6
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 275
  • Страницы: 1-12

Semipolar GaN on Si(001): the role of SiC buffer layer synthesized by method of substrate atom substitution

  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 228
  • Страницы: 71-77

The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si(111) and SiC/Si(100) heterostructures

  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 3
  • 3
  • 294
  • Страницы: 266-274

Photoemission study of nano SiC epitaxial layers synthesized by a new method of the atom substitution in Si crystal lattice

  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 288
  • Страницы: 183-190

Microhardness study of two-layer nanostructures by a nanoindentation method

  • Год: 2015
  • Том: 24
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 285
  • Страницы: 35-40

Методики электрохимического осаждения и механические свойства пленок "медь - графен"

  • Год: 2015
  • Том: 24
  • Выпуск: 1
  • 3
  • 243
  • Страницы: 61-71

Ab initio modelling of nonlinear elastoplastic properties of diamond-like C, SiC, Si, Ge crystals upon large strainse

  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 322
  • Страницы: 1-16

Evolution of crystal morphology under flow of low-energy particles: vacancy mechanism

  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 319
  • Страницы: 82-92

Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC(111) surfaces

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 467
  • Страницы: 108-116

Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates

  • Год: 2018
  • Том: 36
  • Выпуск: 1
  • 7
  • 360
  • Страницы: 39-52

Formation of ordered ZnO structures grown by the ALD method on hybrid SiC/Si (100) substrates

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 353
  • Страницы: 30-39

Mechanism of molecule migration of carbon and silicon monoxides in silicon carbide crystal

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 2
  • 5
  • 343
  • Страницы: 178-182