Найти
МФМ
Механика и физика материалов
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2000
ISSN 1605-8119
Русский
Английский
Версия для слабовидящих
О журнале
Меню
О журнале
Редакционная коллегия
Показатели
Авторам
Меню
Название статьи
Аннотация к статье
Ключевые слова
Содержание и структура статьи
Технические требования
Список литературы
Подача и рассмотрение статьи
Рецензирование
Работа с электронной редакцией
Рецензентам
Меню
Порядок рецензирования
Работа с электронной редакцией
Этика научных публикаций
Архив выпусков
Новости
Вопрос-ответ
Контакты
Автор
А.В. Осипов
Подать статью
Последние выпуски
2023
,
Том 51
Выпуск 7
2023
,
Том 51
Выпуск 6
2023
,
Том 51
Выпуск 5
2023
,
Том 51
Выпуск 4
А.В. Осипов
Место работы
Институт проблем машиноведения РАН
Санкт-Петербург, Россия
Critical Current Density in Polycrystalline High-Tc Superconductors with Disordered Tilt Boundaries
С.А. Кукушкин
А.В. Осипов
И.А. Овидько
Год: 2000
Том: 1
Выпуск: 1
1
894
Страницы: 49-53
Heteroepitaxy of Gallium Nitride Layers: the Role of Initial Stages in Film Formation
V.N. Bessolov
С.А. Кукушкин
А.В. Осипов
A.V. Luk'yanov
Год: 2003
Том: 6
Выпуск: 1
6
867
Страницы: 1-12
Semipolar GaN on Si(001): the role of SiC buffer layer synthesized by method of substrate atom substitution
V.N. Bessolov
E.V. Konenkova
С.А. Кукушкин
A.V. Myasoedov
S.N. Rodin
А.В. Осипов
M.P. Shcheglov
Год: 2014
Том: 21
Выпуск: 1
4
829
Страницы: 71-77
The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si(111) and SiC/Si(100) heterostructures
V.N. Bessolov
E.V. Konenkova
A.V. Zubkova
А.В. Осипов
Орлова Т.С.
S.N. Rodin
С.А. Кукушкин
Год: 2014
Том: 21
Выпуск: 3
8
982
Страницы: 266-274
Photoemission study of nano SiC epitaxial layers synthesized by a new method of the atom substitution in Si crystal lattice
G.V. Benemanskaya
P.A. Dementev
С.А. Кукушкин
M.N. Lapushkin
А.В. Осипов
B. Senkovskiy
S.N. Timoshnev
Год: 2015
Том: 22
Выпуск: 2
5
894
Страницы: 183-190
Microhardness study of two-layer nanostructures by a nanoindentation method
А.С. Гращенко
С.А. Кукушкин
А.В. Осипов
Год: 2015
Том: 24
Выпуск: 1
3
878
Страницы: 35-40
Методики электрохимического осаждения и механические свойства пленок "медь - графен"
В.Г. Конаков
О.Ю. Курапова
Н.Н. Новик
А.С. Гращенко
А.В. Осипов
И.Ю. Арчаков
Год: 2015
Том: 24
Выпуск: 1
6
882
Страницы: 61-71
Ab initio modelling of nonlinear elastoplastic properties of diamond-like C, SiC, Si, Ge crystals upon large strainse
R.S. Telyatnik
А.В. Осипов
С.А. Кукушкин
Год: 2016
Том: 29
Выпуск: 1
6
965
Страницы: 1-16
Evolution of crystal morphology under flow of low-energy particles: vacancy mechanism
A.V. Redkov
А.В. Осипов
С.А. Кукушкин
Год: 2016
Том: 29
Выпуск: 1
3
967
Страницы: 82-92
Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC(111) surfaces
G.V. Benemanskaya
P.A. Dementev
С.А. Кукушкин
M.N. Lapushkin
А.В. Осипов
S.N. Timoshnev
Год: 2017
Том: 32
Выпуск: 2
6
1291
Страницы: 108-116
Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates
V.V. Kidalov
С.А. Кукушкин
А.В. Осипов
A.V. Redkov
А.С. Гращенко
I.P. Soshnikov
M.E. Boiko
M.D. Sharkov
A.F. Dyadenchuk
Год: 2018
Том: 36
Выпуск: 1
29
1255
Страницы: 39-52
Formation of ordered ZnO structures grown by the ALD method on hybrid SiC/Si (100) substrates
С.А. Кукушкин
А.В. Осипов
I.A. Kasatkin
V.Y. Mikhailovskii
A.I. Romanychev
Год: 2019
Том: 42
Выпуск: 1
6
1132
Страницы: 30-39
Mechanism of molecule migration of carbon and silicon monoxides in silicon carbide crystal
С.А. Кукушкин
А.В. Осипов
E.V. Osipova
Год: 2019
Том: 42
Выпуск: 2
8
1152
Страницы: 178-182
Room-temperature quantum oscillations of static magnetic susceptibility of silicon-carbide epitaxial layers grown on a silicon substrate by the method of the coordinated substitution of atoms
Bagraev N.T.
С.А. Кукушкин
А.В. Осипов
Romanov V.V.
Klyachkin L.E.
Malyarenko A.M.
Rul' N.I.
Год: 2022
Том: 50
Выпуск: 1
34
704
Страницы: 66-73