С.А. Кукушкин
  • Место работы
    Институт проблем машиноведения РАН
  • Ученая степень
    доктор физико-математических наук
  • Ученое звание
    профессор
  • Санкт-Петербург, Россия

A Mathematical Model Of Metal Films Deposition from Photoactive Compound Solutions on Solid-Liquid Interface

  • Год: 2000
  • Том: 1
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 265
  • Страницы: 28-30

Critical Current Density in Polycrystalline High-Tc Superconductors with Disordered Tilt Boundaries

  • Год: 2000
  • Том: 1
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 268
  • Страницы: 49-53

On the Theory of Island Films Growth from Eutectic Melt at the Late Evolution Stage

  • Год: 2000
  • Том: 1
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 260
  • Страницы: 111-118

Heteroepitaxy of Gallium Nitride Layers: the Role of Initial Stages in Film Formation

  • Год: 2003
  • Том: 6
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 254
  • Страницы: 1-12

Semipolar GaN on Si(001): the role of SiC buffer layer synthesized by method of substrate atom substitution

  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 209
  • Страницы: 71-77

The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si(111) and SiC/Si(100) heterostructures

  • Год: 2014
  • Том: 21
  • Выпуск: 3
  • 2
  • 270
  • Страницы: 266-274

Photoemission study of nano SiC epitaxial layers synthesized by a new method of the atom substitution in Si crystal lattice

  • Год: 2015
  • Том: 22
  • Выпуск: 2
  • 0
  • 265
  • Страницы: 183-190

Microhardness study of two-layer nanostructures by a nanoindentation method

  • Год: 2015
  • Том: 24
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 259
  • Страницы: 35-40

Ab initio modelling of nonlinear elastoplastic properties of diamond-like C, SiC, Si, Ge crystals upon large strainse

  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 1
  • 1
  • 295
  • Страницы: 1-16

Evolution of crystal morphology under flow of low-energy particles: vacancy mechanism

  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 298
  • Страницы: 82-92

Nucleation of nanopores in glass optical fibers under influence of tensile stress: experiment

  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 265
  • Страницы: 125-132

Formation mechanisms and the orientation of self-polarization in PZT polycristalline thin films

  • Год: 2017
  • Том: 30
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 268
  • Страницы: 20-34

Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC(111) surfaces

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 331
  • Страницы: 108-116

Nucleation and growth mechanisms of CdTe thin films on silicon substrates with silicon carbide buffer layers

  • Год: 2017
  • Том: 32
  • Выпуск: 3
  • 1
  • 259
  • Страницы: 262-271

Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates

  • Год: 2018
  • Том: 36
  • Выпуск: 1
  • 6
  • 326
  • Страницы: 39-52

Formation of ordered ZnO structures grown by the ALD method on hybrid SiC/Si (100) substrates

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 1
  • 0
  • 314
  • Страницы: 30-39

Mechanism of molecule migration of carbon and silicon monoxides in silicon carbide crystal

  • Год: 2019
  • Том: 42
  • Выпуск: 2
  • 5
  • 310
  • Страницы: 178-182