Последние выпуски
- 2026,Том 54Выпуск 2
- 2026,Том 54Выпуск 1
- 2025,Том 53Выпуск 6
- 2025,Том 53Выпуск 5
Lapushkin
Место работы
Institute for Problems of Mechanical Engineering of the RAS
St.Petersburg, Russia
Photoemission study of nano SiC epitaxial layers synthesized by a new method of the atom substitution in Si crystal lattice
- Год: 2015
- Том: 22
- Выпуск: 2
- 9
- 2648
- Страницы: 183-190
Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC (111) surfaces
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 2
- 8
- 3342
- Страницы: 108-116