Andrzej Misiuk
  • Место работы
    Institute of Electron Technology
  • Warsaw, Poland

High Pressure - High Temperature Treatment to Create Oxygen Nano-Clusters and Defects in Single Crystalline Silicon

  • Год: 2000
  • Том: 1
  • Выпуск: 2
  • 1
  • 1237
  • Страницы: 119-126

Nanostructured Layers in High Temperature - Pressure Treated Silicon Implanted with Hydrogen / Helium

  • Год: 2002
  • Том: 5
  • Выпуск: 1
  • 2
  • 1143
  • Страницы: 31-38

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: