Сравнение характеристик диодов Шоттки на основе β-Ga2O3 и других широкозонных полупроводниковых материалов

Авторы:
М.А. Рожков Е.С. Колодезный А.М. Смирнов В.Е. Бугров А. Е. Романов
Аннотация:

Проведен теоретический анализ и компьютерное моделирование электрических характеристик диода Шоттки (ДШ) Au/β-Ga2O3. Показано, что высота барьера Шоттки Au/β-Ga2O3 составляет 1.23 эВ и напряжение открытия ~ 0.6 В при токе ~ 1 мкА. Проведено сравнение характеристик ДШ на основе β-Ga2O3 и других конкурирующих широкозонных полупроводников: 4H-SiC, AlGaN, GaN. Показано, что ДШ Au/β-Ga2O3 имеет меньший обратный ток по сравнению с Au/GaN и Ni/SiC, а рассчитанное напряжение пробоя у ДШ Au/β-Ga2O3 составляет 2513 В.