Последние выпуски
- 2025, Том 53 Выпуск 5
- 2025, Том 53 Выпуск 4
- 2025, Том 53 Выпуск 3
- 2025, Том 53 Выпуск 2
Blokhin
Место работы
ioffe Institute
St.Petersburg, Russia
The structural properties of elastically strained InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures grown by molecular beam epitaxy
- Год: 2016
- Том: 29
- Выпуск: 1
- 8
- 2002
- Страницы: 76-81
Zn diffusion from vapor phase into InGaAs/InP heterostructure using diethylzinc as a p-dopant source
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 3
- 28
- 1520
- Страницы: 38-45
Peculiarities of the two-stage Zn diffusion profile formation from vapor phase into InGaAs/InP heterostructure for avalanche photodiode fabrication
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 4
- 31
- 1391
- Страницы: 66-75
Surface morphology of InGaAs and InP layers after local Zn diffusion from the vapor phase in the MOCVD reactor
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 5
- 51
- 1674
- Страницы: 142-151