S.A. Blokhin
  • Место работы
    ioffe Institute
  • St.Petersburg, Russia

The structural properties of elastically strained InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures grown by molecular beam epitaxy

  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 1
  • 7
  • 1108
  • Страницы: 76-81

Zn diffusion from vapor phase into InGaAs/InP heterostructure using diethylzinc as a p-dopant source

  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 3
  • 18
  • 391
  • Страницы: 38-45

Peculiarities of the two-stage Zn diffusion profile formation from vapor phase into InGaAs/InP heterostructure for avalanche photodiode fabrication

  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 4
  • 19
  • 550
  • Страницы: 66-75

Surface morphology of InGaAs and InP layers after local Zn diffusion from the vapor phase in the MOCVD reactor

  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 5
  • 30
  • 518
  • Страницы: 142-151