Blokhin
Blokhin
Место работы
ioffe Institute
St.Petersburg, Russia

The structural properties of elastically strained InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures grown by molecular beam epitaxy

  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 1
  • 8
  • 2002
  • Страницы: 76-81

Zn diffusion from vapor phase into InGaAs/InP heterostructure using diethylzinc as a p-dopant source

  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 3
  • 28
  • 1520
  • Страницы: 38-45

Peculiarities of the two-stage Zn diffusion profile formation from vapor phase into InGaAs/InP heterostructure for avalanche photodiode fabrication

  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 4
  • 31
  • 1391
  • Страницы: 66-75

Surface morphology of InGaAs and InP layers after local Zn diffusion from the vapor phase in the MOCVD reactor

  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 5
  • 51
  • 1674
  • Страницы: 142-151