Последние выпуски
- 2025, Том 53 Выпуск 4
- 2025, Том 53 Выпуск 3
- 2025, Том 53 Выпуск 2
- 2025, Том 53 Выпуск 1
Щеглов
Место работы
ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
Санкт-Петербург, Россия
HVPE growth of corundum-structured α-Ga2O3 on sapphire substrates with α-Cr2O3 buffer layer
- Год: 2021
- Том: 47
- Выпуск: 4
- 106
- 2937
- Страницы: 577-581
Epitaxial stabilization of α-Ga2O3 layers grown on r-plane sapphire
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 1
- 121
- 1902
- Страницы: 1-9
Effect of high-temperature annealing on the internal friction and optical transmittance of single crystal gallium oxide
- Год: 2024
- Том: 52
- Выпуск: 5
- 21
- 2331
- Страницы: 48-54