МФМ
Механика и физика материалов Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2000
ISSN 1605-8119
ru Русский
Версия для слабовидящих
Автор М.П. Щеглов
Подать статью
Последние выпуски
М.П. Щеглов
  • Место работы
    ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
  • Санкт-Петербург, Россия

HVPE growth of corundum-structured α-Ga2O3 on sapphire substrates with α-Cr2O3 buffer layer

С.И. Степанов В.И Николаев Алмаев А.В. А.И. Печников Щеглов М.П. А.В. Чикиряка Кушнарев Б.О. Поляков А.Я.
  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 4
  • 86
  • 1906
  • Страницы: 577-581

Epitaxial stabilization of α-Ga2O3 layers grown on r-plane sapphire

В.И Николаев Поляков А.Я. С.И. Степанов А.И. Печников Л.И. Гузилова Щеглов М.П. А.В. Чикиряка
  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 1
  • 104
  • 949
  • Страницы: 1-9