Л.И. Гузилова
  • Место работы
    Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН
  • Санкт-Петербург, Россия
  • Публикации

Исследование эпитаксиальных слоёв и монокристаллов β-Ga2O3 методом наноиндентирования

  • Год: 2016
  • Том: 29
  • Выпуск: 2
  • 58
  • 2442
  • Страницы: 166-171

Burst-like shape memory recovery and calorimetric effect in Cu-Al-Ni alloy single crystals at cyclic test

  • Год: 2020
  • Том: 46
  • Выпуск: 1
  • 41
  • 1511
  • Страницы: 42-49

Wear resistance of α- and β- gallium oxide coatings

  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 1
  • 51
  • 1633
  • Страницы: 52-58

Jumping at strain recovery in shape memory Cu-Al-Ni single crystals

  • Год: 2021
  • Том: 47
  • Выпуск: 1
  • 56
  • 1680
  • Страницы: 59-64

Epitaxial stabilization of α-Ga2O3 layers grown on r-plane sapphire

  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 1
  • 113
  • 1189
  • Страницы: 1-9

Tribological characteristics of bulk (-201) β-Ga2O3 substrate crystals grown by EFG

  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 6
  • 36
  • 808
  • Страницы: 135-144

Spalling-induced β-Ga2O3 lift-off protocol

  • Год: 2024
  • Том: 52
  • Выпуск: 5
  • 13
  • 345
  • Страницы: 55-63