Последние выпуски
- 2026, Том 54 Выпуск 1
- 2025, Том 53 Выпуск 6
- 2025, Том 53 Выпуск 5
- 2025, Том 53 Выпуск 4
Bobrov
Место работы
Ioffe Institute
Saint Petersburg, Russia
Zn diffusion from vapor phase into InGaAs/InP heterostructure using diethylzinc as a p-dopant source
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 3
- 33
- 1876
- Страницы: 38-45
Peculiarities of the two-stage Zn diffusion profile formation from vapor phase into InGaAs/InP heterostructure for avalanche photodiode fabrication
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 4
- 33
- 1674
- Страницы: 66-75
Surface morphology of InGaAs and InP layers after local Zn diffusion from the vapor phase in the MOCVD reactor
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 5
- 57
- 2058
- Страницы: 142-151