Найти
МФМ
Механика и физика материалов
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2000
ISSN 1605-8119
Русский
Английский
Версия для слабовидящих
О журнале
Меню
О журнале
Редакционная коллегия
Показатели
Авторам
Меню
Название статьи
Аннотация к статье
Ключевые слова
Содержание и структура статьи
Технические требования
Список литературы
Подача и рассмотрение статьи
Рецензирование
Работа с электронной редакцией
Рецензентам
Меню
Порядок рецензирования
Работа с электронной редакцией
Этика научных публикаций
Архив выпусков
Новости
Вопрос-ответ
Контакты
Автор
A.P. Vasil’ev
Подать статью
Последние выпуски
2024
,
Том 52
Выпуск 3
2024
,
Том 52
Выпуск 2
2024
,
Том 52
Выпуск 1
2023
,
Том 51
Выпуск 7
A.P. Vasil’ev
Место работы
Submicron Heterostructures for Microelectronics Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences (RAS)
Saint Petersburg, Russia
Zn diffusion from vapor phase into InGaAs/InP heterostructure using diethylzinc as a p-dopant source
S.A. Blokhin
Levin R.V.
Epoletov V.S.
Kuzmenkov A.G.
A.A. Blokhin
Bobrov M.A.
Kovach Y.N.
Maleev N.A.
Andryushkin V.V.
Vasil’ev A.P.
Voropaev K.O.
Год: 2023
Том: 51
Выпуск: 3
17
371
Страницы: 38-45
Peculiarities of the two-stage Zn diffusion profile formation from vapor phase into InGaAs/InP heterostructure for avalanche photodiode fabrication
S.A. Blokhin
Levin R.V.
Epoletov V.S.
Kuzmenkov A.G.
A.A. Blokhin
Bobrov M.A.
Kovach Y.N.
Maleev N.A.
Nikitina E.V.
Andryushkin V.V.
Vasil’ev A.P.
Voropaev K.O.
Год: 2023
Том: 51
Выпуск: 4
19
533
Страницы: 66-75
Surface morphology of InGaAs and InP layers after local Zn diffusion from the vapor phase in the MOCVD reactor
S.A. Blokhin
Levin R.V.
Epoletov V.S.
Kuzmenkov A.G.
A.A. Blokhin
Bobrov M.A.
Kovach Y.N.
Maleev N.A.
Prasolov N.D.
Kulagina M.M.
Guseva Yu.А.
Zadiranov Yu.М.
Nikitina E.V.
Andryushkin V.V.
Vasil’ev A.P.
Voropaev K.O.
Год: 2023
Том: 51
Выпуск: 5
29
503
Страницы: 142-151