Последние выпуски
- 2026, Том 54 Выпуск 1
- 2025, Том 53 Выпуск 6
- 2025, Том 53 Выпуск 5
- 2025, Том 53 Выпуск 4
Zarichny
Место работы
Ioffe Institute
Saint Petersburg, Russia
The analysis of the etch pits parameters in the (-201) plane of the β-Ga2O3 substrate crystals
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 3
- 39
- 1940
- Страницы: 46-51