A.A. Zarichny
  • Место работы
    Ioffe Institute
  • Saint Petersburg, Russia

The analysis of the etch pits parameters in the (-201) plane of the β-Ga2O3 substrate crystals

  • Год: 2023
  • Том: 51
  • Выпуск: 3
  • 25
  • 506
  • Страницы: 46-51