МФМ
    Механика и физика материаловСанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
    Издается с 2000
    ISSN 1605-8119
    ruРусский
    Версия для слабовидящих
    АвторSharkov
    Подать статью
    Последние выпуски
    Sharkov
    Sharkov
    Место работы
    Ioffe Institute
    St.Petersburg, Russia

    Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates

    V.V. KidalovКукушкин С.А.А.В. ОсиповA.V. RedkovА.С. ГращенкоI.P. SoshnikovM.E. BoikoM.D. SharkovA.F. Dyadenchuk
    • Год: 2018
    • Том: 36
    • Выпуск: 1
    • 50
    • 3819
    • Страницы: 39-52

    The analysis of the etch pits parameters in the (-201) plane of the β-Ga2O3 substrate crystals

    Zarichny A.A.P.N. ButenkoM.E. BoikoM.D. SharkovВ.И Николаев
    • Год: 2023
    • Том: 51
    • Выпуск: 3
    • 40
    • 2180
    • Страницы: 46-51

    Tribological characteristics of bulk (-201) β-Ga2O3 substrate crystals grown by EFG

    P.N. ButenkoM.E. BoikoА.В. ЧикирякаГузилова Л.И.Pozdnyakov A.O.M.D. SharkovАлмаев А.В.В.И Николаев
    • Год: 2023
    • Том: 51
    • Выпуск: 6
    • 38
    • 2041
    • Страницы: 135-144

    Spalling-induced β-Ga2O3 lift-off protocol

    P.N. ButenkoА.В. ЧикирякаM.E. BoikoГузилова Л.И.В.М. КрымовObidov B.A.Р.Б. ТимашовShapenkov S.V. M.D. SharkovВ.И Николаев
    • Год: 2024
    • Том: 52
    • Выпуск: 5
    • 25
    • 3075
    • Страницы: 55-63