Последние выпуски
- 2026,Том 54Выпуск 2
- 2026,Том 54Выпуск 1
- 2025,Том 53Выпуск 6
- 2025,Том 53Выпуск 5
Zarichny
Место работы
Ioffe Institute
Saint Petersburg, Russia
The analysis of the etch pits parameters in the (-201) plane of the β-Ga2O3 substrate crystals
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 3
- 40
- 2180
- Страницы: 46-51