Найти
МФМ
Механика и физика материалов
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2000
ISSN 1605-8119
Русский
Английский
Версия для слабовидящих
О журнале
Меню
О журнале
Редакционная коллегия
Показатели
Авторам
Меню
Название статьи
Аннотация к статье
Ключевые слова
Содержание и структура статьи
Технические требования
Список литературы
Подача и рассмотрение статьи
Рецензирование
Работа с электронной редакцией
Рецензентам
Меню
Порядок рецензирования
Работа с электронной редакцией
Этика научных публикаций
Архив выпусков
Новости
Вопрос-ответ
Контакты
Автор
V. Stempitsky
Подать статью
Последние выпуски
2024
,
Том 52
Выпуск 3
2024
,
Том 52
Выпуск 2
2024
,
Том 52
Выпуск 1
2023
,
Том 51
Выпуск 7
V. Stempitsky
Место работы
Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics
St.Petersburg, Russia
Device and technology simulation of IGBT on SOI structure
I. Lovshenko
V. Stempitsky
Tran Tuan Trung
Год: 2014
Том: 20
Выпуск: 2
8
1052
Страницы: 111-117
Modeling of microbial synthesis processes considering inoculums immobilization in porous nanostructured media
Alexander Kuleshov
V. Stempitsky
Svetlana Volchek
Emilia Kolomiets
Anastasia Berezhnaya
Vladislav Kuptsov
Год: 2014
Том: 20
Выпуск: 2
2
994
Страницы: 130-141
Electronic and optic properties of transition metal dichalcogenides (MoS2, WSe2) and graphene heterostructures
M.S. Baranova
Dzmitryi Hvazdouski
V. Stempitsky
Sviatlana Vauchok
Miroslav Najbuk
Год: 2018
Том: 39
Выпуск: 1
22
1502
Страницы: 8-14
Direct exchange interaction of cobalt chains in zinc oxide: model approach
M.S. Baranova
A.L. Danilyuk
V. Stempitsky
Год: 2018
Том: 39
Выпуск: 1
10
1315
Страницы: 15-20
Ab initio simulation of graphene interaction with SiO2 substrate for nanoelectronics application
Dzmitryi Hvazdouski
V. Stempitsky
Год: 2018
Том: 39
Выпуск: 1
27
1425
Страницы: 27-34
Radiation influence on electrical characteristics of complementary junction field-effect transistors exploited at low temperatures
I. Lovshenko
V.T. Khanko
V. Stempitsky
Год: 2018
Том: 39
Выпуск: 1
7
1019
Страницы: 92-101
Leakage current in AlGaN Schottky diode in terms of the phonon-assisted tunneling model
V.S. Volcheck
V. Stempitsky
Год: 2019
Том: 41
Выпуск: 1
12
1290
Страницы: 19-29
Magnetic properties of low-dimensional MAX3 (M=Cr, A=Ge, Si and X=S, Se, Te) systems
Baranava M.S.
V. Stempitsky
Год: 2022
Том: 49
Выпуск: 1
55
923
Страницы: 73-84
First-principles study of anisotropic thermal conductivity of GaN, AlN, and Al0.5Ga0.5N
Dzmitryi Hvazdouski
Baranava M.S.
V. Stempitsky
Год: 2022
Том: 49
Выпуск: 1
47
914
Страницы: 97-107