V. Stempitsky
-
Место работыBelarusian State University of Informatics and Radioelectronics
- St.Petersburg, Russia
Последние выпуски
- 2024, Том 52 Выпуск 4
- 2024, Том 52 Выпуск 3
- 2024, Том 52 Выпуск 2
- 2024, Том 52 Выпуск 1
Device and technology simulation of IGBT on SOI structure
- Год: 2014
- Том: 20
- Выпуск: 2
- 8
- 1085
- Страницы: 111-117
Modeling of microbial synthesis processes considering inoculums immobilization in porous nanostructured media
- Год: 2014
- Том: 20
- Выпуск: 2
- 2
- 1026
- Страницы: 130-141
Electronic and optic properties of transition metal dichalcogenides (MoS2, WSe2) and graphene heterostructures
- Год: 2018
- Том: 39
- Выпуск: 1
- 22
- 1545
- Страницы: 8-14
Direct exchange interaction of cobalt chains in zinc oxide: model approach
- Год: 2018
- Том: 39
- Выпуск: 1
- 10
- 1354
- Страницы: 15-20
Ab initio simulation of graphene interaction with SiO2 substrate for nanoelectronics application
- Год: 2018
- Том: 39
- Выпуск: 1
- 28
- 1461
- Страницы: 27-34
Radiation influence on electrical characteristics of complementary junction field-effect transistors exploited at low temperatures
- Год: 2018
- Том: 39
- Выпуск: 1
- 7
- 1043
- Страницы: 92-101
Leakage current in AlGaN Schottky diode in terms of the phonon-assisted tunneling model
- Год: 2019
- Том: 41
- Выпуск: 1
- 12
- 1327
- Страницы: 19-29
Magnetic properties of low-dimensional MAX3 (M=Cr, A=Ge, Si and X=S, Se, Te) systems
- Год: 2022
- Том: 49
- Выпуск: 1
- 56
- 968
- Страницы: 73-84
First-principles study of anisotropic thermal conductivity of GaN, AlN, and Al0.5Ga0.5N
- Год: 2022
- Том: 49
- Выпуск: 1
- 47
- 952
- Страницы: 97-107