No 1, Vol. 42, 2019
Год: 2019
Том: 42
Выпуск: 1
Страниц: 157
128
16754
Последние выпуски
- 2024, Том 52 Выпуск 3
- 2024, Том 52 Выпуск 2
- 2024, Том 52 Выпуск 1
- 2023, Том 51 Выпуск 7
Geometry of GaAs nanowire seeds in SiOx/Si (111) templates
- 7
- 1220
- Страницы: 14-19
Numerical simulation of hypervelocity impacts of variously shaped projectiles with thin bumpers
- 18
- 1310
- Страницы: 20-29
Influences of solvent types on the formation of graphene in the electrochemical exfoliation method
- 25
- 1368
- Страницы: 151-157