Толстые эпитаксиальные слои нитрида галлия на кремниевой подложке

В работе исследовалась возможность роста качественных толстых слоев GaN на кремниевой подложке в реакторе хлорид-гидридной эпитаксии (ХГЭ), разработанном для подложек диаметром до 76 мм. Для предотвращения реакции GaN и кремния осаждался слой AlN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (ГФЭ МОС). Проведена характеризация выращенных слоев методами фотолюминесценции, рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микроскопии (РЭМ) и методом измерения вольт-фарадных характеристик с использованием ртутного зонда. Продемонстрирована возможность получения гладких слоев до 10 мкм, большие фрагменты которых не имеют трещин. Установлено, что для лучших образцов полуширина кривой качания составила ~ 500 arcsec.