Оптические свойства толстых слоев нитрида галлия, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках

Авторы:
С.Ч. Рауфов А.А. Ситникова М.А. Одноблюдов В.Е. Бугров К.Д. Мынбаев В.И Николаев А. Е. Романов М.Г. Мынбаева А.И. Печников А.Н. Смирнов Д.А. Кириленко
Аннотация:

Показана возможность использования подложек с колонной структурой для выращивания толстых слоев нитрида галлия со сниженным уровнем термоупругих напряжений и структурных дефектов. Выполнена углубленная характеризация слоев GaN, имевших толщину ~600 микрометров, с применением просвечивающей электронной микроскопии и оптических методов: спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции. Полученные результаты показали, что выращенный эпитаксиальный материал имел хорошее качество с высокой однородностью свойств по площади образцов.