МФМ
Механика и физика материалов Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2000
ISSN 1605-8119
ru Русский
Версия для слабовидящих
Автор I.P. Soshnikov
Подать статью
Последние выпуски
I.P. Soshnikov
  • Место работы
    Saint Petersburg National Research Academic University
  • St.Petersburg, Russia

Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates

V.V. Kidalov С.А. Кукушкин А.В. Осипов A.V. Redkov А.С. Гращенко I.P. Soshnikov M.E. Boiko M.D. Sharkov A.F. Dyadenchuk
  • Год: 2018
  • Том: 36
  • Выпуск: 1
  • 35
  • 1573
  • Страницы: 39-52