МФМ
Механика и физика материалов Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2000
ISSN 1605-8119
ru Русский
Версия для слабовидящих
Автор Soshnikov
Подать статью
Последние выпуски
Soshnikov
Soshnikov
Место работы
Saint Petersburg National Research Academic University
St.Petersburg, Russia

Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates

V.V. Kidalov Кукушкин С.А. А.В. Осипов A.V. Redkov А.С. Гращенко I.P. Soshnikov M.E. Boiko M.D. Sharkov A.F. Dyadenchuk
  • Год: 2018
  • Том: 36
  • Выпуск: 1
  • 49
  • 3571
  • Страницы: 39-52