Найти
МФМ
Механика и физика материалов
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Издается с 2000
ISSN 1605-8119
Русский
Английский
Версия для слабовидящих
О журнале
Меню
О журнале
Редакционная коллегия
Показатели
Авторам
Меню
Название статьи
Аннотация к статье
Ключевые слова
Содержание и структура статьи
Технические требования
Список литературы
Подача и рассмотрение статьи
Рецензирование
Работа с электронной редакцией
Рецензентам
Меню
Порядок рецензирования
Работа с электронной редакцией
Этика научных публикаций
Архив выпусков
Новости
Вопрос-ответ
Контакты
Автор
I.P. Soshnikov
Подать статью
Последние выпуски
2024
,
Том 52
Выпуск 3
2024
,
Том 52
Выпуск 2
2024
,
Том 52
Выпуск 1
2023
,
Том 51
Выпуск 7
I.P. Soshnikov
Место работы
Saint Petersburg National Research Academic University
St.Petersburg, Russia
Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates
V.V. Kidalov
С.А. Кукушкин
А.В. Осипов
A.V. Redkov
А.С. Гращенко
I.P. Soshnikov
M.E. Boiko
M.D. Sharkov
A.F. Dyadenchuk
Год: 2018
Том: 36
Выпуск: 1
37
1634
Страницы: 39-52