I.P. Soshnikov
  • Место работы
    Saint Petersburg National Research Academic University
  • St.Petersburg, Russia

Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates

  • Год: 2018
  • Том: 36
  • Выпуск: 1
  • 6
  • 288
  • Страницы: 39-52