Последние выпуски
- 2026,Том 54Выпуск 2
- 2026,Том 54Выпуск 1
- 2025,Том 53Выпуск 6
- 2025,Том 53Выпуск 5
Redkov
Место работы
Institute of Problems of Mechanical Engineering of Russian Academy of Sciences
St.Petersburg, Russia
Evolution of crystal morphology under flow of low-energy particles: vacancy mechanism
- Год: 2016
- Том: 29
- Выпуск: 1
- 4
- 2753
- Страницы: 82-92
Nucleation and growth mechanisms of CdTe thin films on silicon substrates with silicon carbide buffer layers
- Год: 2017
- Том: 32
- Выпуск: 3
- 6
- 2766
- Страницы: 262-271
Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates
- Год: 2018
- Том: 36
- Выпуск: 1
- 50
- 3819
- Страницы: 39-52
Polycrystalline films of phosphors Cd (1-x-y-z) (CuyAgz) ZnxS on the silicon substrate with the silicon carbide buffer layer: structure and properties
- Год: 2019
- Том: 42
- Выпуск: 4
- 7
- 2948
- Страницы: 396-406