Последние выпуски
- 2025, Том 53 Выпуск 4
- 2025, Том 53 Выпуск 3
- 2025, Том 53 Выпуск 2
- 2025, Том 53 Выпуск 1
Алмаев
Место работы
Томский Государственный Университет
Томск, Россия
HVPE growth of corundum-structured α-Ga2O3 on sapphire substrates with α-Cr2O3 buffer layer
- Год: 2021
- Том: 47
- Выпуск: 4
- 105
- 2888
- Страницы: 577-581
Effect of Si+ ion irradiation of α-Ga2O3 epitaxial layers on their hydrogen sensitivity
- Год: 2022
- Том: 48
- Выпуск: 3
- 88
- 1771
- Страницы: 301-307
Tribological characteristics of bulk (-201) β-Ga2O3 substrate crystals grown by EFG
- Год: 2023
- Том: 51
- Выпуск: 6
- 37
- 1404
- Страницы: 135-144